MRAM独特功能替换现有内存-创新互联
在所有常年兴起的记忆中，
MRAM
似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。
MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。
目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺制造的。需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻和新的溅射靶。为了降低嵌入式MRAM产品的成本，制造需要进入CMOS晶圆厂，并成为常规设备制造的一部分。
除了将MRAM进一步整合到制造链中之外，与其他半导体制造工艺一样，质量控制和良率提高将是一个持续的挑战和机遇，而且事实是所有大型半导体代工厂都已将MRAM存储器作为一种选择。嵌入式产品意义重大。通过将MRAM集成到其嵌入式产品中，并将MRAM大量应用于常规设备制造中，将解决产量和质量问题，并且用于MRAM生产的独特工具将变得更加普遍，并将更多地嵌入到代工生产中。这将降低成本并提高可用性。
Applied Materials专门解决MRAM所特有的挑战，包括对新型材料的需求。它已将Endura平台从单一处理系统发展为集成处理系统，并将其作为包括MRAM在内的新兴存储器的材料工程基础的一部分。
MRAM的大制造挑战与堆栈的复杂性和所需的层数（超过30层）有关。之所以如此复杂，是因为这些层有多种用途。从根本上说，MRAM基本上由狭小的磁铁组成，因此需要能够保持一定方向（包括底部参考层）不受任何外部磁场影响的磁性材料。
新闻名称：MRAM独特功能替换现有内存-创新互联
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