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一直以来，设计中的电磁干扰（EMI）问题十分令人头疼，尤其是在汽车领域。
为了尽可能的减小电磁干扰，设计人员通常会在设计原理图和绘制布局时，通过降低高di / dt的环路面积以及开关转换速率来减小噪声源。但是，有时无论布局和原理图的设计多么谨慎，仍然无法将传导EMI降低到所需的水平。
这是因为噪声不仅取决于电路寄生参数，还与电流强度有关。
另外，开关打开和关闭的动作会产生不连续的电流，这些不连续电流会在输入电容上产生电压纹波，从而增加EMI。因此，有必要采用一些其他方法来提高传导EMI的性能。
下面主要讨论的是引入输入滤波器来滤除噪声，或增加屏蔽罩来锁住噪声。图1是一个简化的EMI滤波器，包括共模（CM）滤波器和差模（DM）滤波器。
通常，DM滤波器主要用于滤除小于30MHz的噪声（DM噪声），CM滤波器主要用于滤除30MHz至100MHz的噪声（CM噪声）。
但其实这两个滤波器对于整个频段的EMI噪声都有一定的抑制作用。图2显示了一个不带滤波器的输入引线噪声，包括正向噪声和负向噪声，并标注了这些噪声的峰值水平和平均水平。
其中，该被测系统主要采用芯片LMR14050SSQDDARQ1输出5V/5A，并给后续芯片TPS65263QRHBRQ1供电，同时输出1.5V/3A，3.3V/2A以及1.8V/2A。
这两个芯片都工作在2.2MHz的开关频率下。
另外，图中显示的传导EMI标准是CISPR25 Class 5（C5）。
有关该系统的更多信息，请查阅应用笔记SNVA810。图3显示了增加一个DM滤波器后的EMI结果。
从图中可以看出，DM滤波器衰减了中频段DM噪声（2MHz至30MHz）近35dBμV/ m。
此外高频段噪声（30MHz至100MHz）也有所降低，但仍超过限制水平。
这主要是因为DM滤波器对于高频段CM噪声的滤除能力有限。图4显示了增加CM和DM滤波器后的噪声特性。
与图3相比，CM滤波器的增加降低了近20dBμV/ m的CM噪声。
并且EMI性能也通过了CISPR25 C5标准。图5显示了不同布局下带CM和DM滤波器的噪声特性，其中滤波器与图4相同。
但与图4相比，整个频段的噪声增加了大约10dBμV/ m，高频噪声甚至还超出CISPR25 C5标准的平均值。图5 C5标准下的噪声特性（带CM和DM滤波器，不同布局） 图4和图5之间噪声结果的不同主要是由于PCB布线差异所致，如图6所示。
图5的布线中（图6的右侧），大面积覆铜（GND）包围着DM滤波器，并和Vin走线形成了一些寄生电容。
这些寄生电容为高频信号旁路滤波器提供了有效的低阻抗路径。
因此，为了最大限度地提高滤波器的性能，需要移除滤波器周围所有的覆铜，如图6左侧的布线。除了增加滤波器外，另一种优化EMI性能的有效方法是增加屏蔽罩。
这是因为连接着GND的金属屏蔽罩可以阻止噪声向外辐射。
图7推荐了一种屏蔽罩的摆放方法。
该屏蔽罩恰好覆盖了板上所有的元器件。图8显示了增加滤波器和屏蔽罩之后的EMI结果。
如图所示，整个频段的噪声几乎都被屏蔽罩消除，EMI性能非常好。
这主要是因为等效为天线的长输入引线会耦合大量辐射噪声，而屏蔽罩恰好隔绝了它们。
在本设计中，中频噪声也会采用这种方式耦合到输入引线上。图8 C5标准下的噪声特性（带CM，DM滤波器以及屏蔽罩） 图9也显示了带滤波器和屏蔽罩的噪声特性。
与图8 不同的是，图9中屏蔽罩是一个金属盒，它包裹了整个电路板，且只有输入引线裸露在外面。
虽然有了这个屏蔽罩，但一些辐射噪声仍然可以绕过EMI滤波器并耦合到PCB上的电源线，这将会导致比图8更差的噪声特性。
有趣的是，图4，图8和图9中（相同的布局布线）高频带的噪声特性几乎相同。
这是因为在增加EMI滤波器后，能耦合到输入线上的高频段辐射噪声几乎已经不存在了。图9 C5标准下的噪声特性（带CM，DM滤波器以及屏蔽金属盒） 综合来说，增加EMI滤波器或者屏蔽罩都能有效的改善EMI性能。
但是与此同时，滤波器的布局布线以及屏蔽罩的摆放位置需要仔细斟酌。关于EMC中有效降低传导辐射干扰的技巧是什么就分享到这里了，希望以上内容可以对大家有一定的帮助，可以学到更多知识。如果觉得文章不错，可以把它分享出去让更多的人看到。
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